Enabling Energy Efficient Solutions

製品概要

I3T80: 0.35 µm プロセス・テクノロジ

製品説明
オン・セミコンダクタのインテリジェント・インタフェース・テクノロジI3T80プロセスは、0.35 µmデジタル・プロセスの集積度、アナログ/ミックスド・シグナル能力、および高耐圧を提供し、ミックスド・シグナルおよび高耐圧環境で増大するデジタル・コンテンツ対するニーズに応えます。I3T80プロセス・ファミリは、最大80Vまでの高耐圧デバイスを取り揃え、3.3Vでのデジタル/アナログ動作が可能で、1個のICで幅広い機能を提供します。

特長

  • 3~5層メタル・プロセス
  • メタル-メタル(MIM)リニア・キャパシタ
  • 高、中、および抵抗ポリシリコン抵抗
  • フローティング高電圧NDMOS & PDMOSトランジスタ
  • フローティング中電圧NDMOS
  • フローティング高電圧および低電圧ダイオード
  • 中電圧NPNバイポーラ・トランジスタ
  • 中電圧PNPバイポーラ・トランジスタ(コレクタ接地、高および低ゲイン)
  • OTP用ツェナー・ザップ・ダイオード
  • ポリシリコン・クランピング・ダイオード
  • 高および中電圧フローティング・メタル・キャパシタ
  • 深くn+ドーピングされたガード・リング

プロセス特性

動作電圧 3.3 V
基板材料 P基板上のNエピタキシ、逆行ウェル
描画トランジスタ長 0.35 µm
ゲート酸化膜厚 7.0 nm
コンタクト/ビア・サイズ 0.4 µm
コンタクテッド・ゲート・ピッチ 1.3 µm
トップ・メタル厚 1020 nm
メタル・ピッチ
メタル1 1.0 µm
メタル2 1.1 µm
トップ・メタル 1.4 µm
コンタクテッド・メタル・ピッチ
メタル1/CNT 1.1 µm
メタル1/Via 1 1.2 µm
メタル2からトップ1/Via 1.2 µm
メタル組成 AI/Cu
絶縁 LOCOS
ILD平坦化 USG/BPTEOS+CMP
IMD平坦化 HDP/PETEOS+CMP

サンプル・プロセス・オプション

  マスク・レイヤ
3メタル、80 V、MIMC、HIPO、OTP 23
4メタル、80 V、MIMC、HIPO、OTP 25
4メタル、80 V、MIMC、HIPO、OTP、フラッシュEEPROM 28

デバイス特性

(値はすべて25℃時の標準値)

低電圧トランジスタ

NMOSトランジスタ 標準値 単位
Vt (10/0.35、線形補間) 0.59 V
Vmax=Vbd 3.6 V
IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) 530 µA/µm
PMOSトランジスタ
Vt (10/0.35、線形補間) -0.57 V
Vmax=Vbd -3.6 V
IDS (10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) -250 µA/µm

ダイオード

ツェナー・ダイオード: PBZD (a=2µm) 標準値 単位
Vz @ 100 µA 4.6 V
Rzener 45 Ω
Ileak @ Vz=0.5 V 200 nA
OTP用ザッピング・ツェナー・ダイオード:UZZD
Vz @ 1 A 1.5 V
Vbd @ 10 mA 4.5 V
Ileak_max @ Vz= 1 V 1.4 mA
フローティング高電圧ダイオード:FID80
Vak_reverse, la=-100 nA >80 V
Vak_forw, lk=100 µA 0.79 V
Isub/IA, Va=0.7 V 0.5 %
ゲート・クランピング用ポリ・ダイオード POLYD
Vreverse @ Ia=10 µA 6.8 V
Ileak/W @ Vrev=3.6 V <20 nA/µm

バイポーラ・トランジスタ

垂直中電圧PNP:VPB(パラメータ、E_area=0.64µm²) 標準値 単位
Hfe @ Ic=10 µA 8 -
Bvceo @ Ic=1 µA -63 V
Bvces @ Ic=1 µA -67 V
Icmax 250 µA
垂直中電圧“高ゲイン” PNPトランジスタ:VPHB (パラメータ、 E_area=0.64µm²) 標準値 単位
Hfe @ Ic=100 nA 115 -
|Bvceo|@ Ic=1 µA >80 V
|Bvces|@ Ic=1 µA >100 V
Icmax 250 µA
中電圧NPN(パラメータE_area=0.16 µm²) 標準値 単位
Hfe max 120 -
Bvceo @ Ic=1 µA 23 V
Bvces @ Ic=1 µA >80 V
|VEarly| >70 V

キャパシタ(パラメータ@ 25°C)

タイプ(最大電圧) 標準値 単位
Metal2/Metal2.5 Plate: MIMC (3.6 V) 1.5 fF/µm²
Metal1/Metal3 Plate (80 V) 0.1 fF/µm²
Poly/Metal3 Plate (80 V) 0.14 fF/µm²
Metal1/Metal3 Bar (80 V) 0.26 aF/µm/
finger
Poly/Metal3 Bar (80 V) 0.33 aF/µm/
finger

 

高電圧トランジスタ

フローティングNMOS@80 V 標準値 単位
Vt (10/0.35、線形補間) 0.59 V
Vmax=VfloatからP基板 80 V
Vmax=Vbd 3.6 V
IDS(10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) 530 µA/µm
フローティングPMOS@80 V
Vt(10/0.35、線形補間) -0.57 V
Vmax=VfloatからP基板 80 V
Vmax=Vbd -3.6 V
IDS(10/0.35, Vds=Vgs=3.3 V) -250 µA/µm
スイッチング・アプリケーション用フローティングNDMOS: VFNDM80
Vt 0.54 V
Vmax=Vbd(自己保護された場合はより高い) 70 V
Vgsmax(完全な寿命) 3.6 V
Ids(Vds=40, Vgs=1.5 V) 100 µA/µm
Ron*Area(16フィンガ・ブロック)
絶縁なし 180 mΩ*mm²
絶縁あり 260 mΩ*mm²
アナログ・アプリケーション用フローティングNDMOS: VFNDM80A
Vt 0.56 V
Vmax=Vbd(自己保護された場合はより高い) 70 V
Vgsmax(完全な寿命) 3.6 V
Ids(Vds=40, Vgs=1.5 V) 70 µA/µm
Ron*Area(16フィンガ・ブロック)
絶縁なし 250 mΩ*mm²
絶縁あり 325 mΩ*mm²
フローティング中電圧NDMOS
Vt 0.58 V
Vmax=Vbd 14 V
Vgsmax (完全な寿命) 3.6 V
Ids(Vds=10 V, Vgs=+3.3 V) 300 µA/µm
Ron*Area 31 mΩ*mm²
フローティングHV PMOS LFPDM80
Vt(W=40mm) -0.56 V
Vmax=Vbd -70 V
Vgsmax (完全な寿命) -3.6 V
Ids (Vds=-40V, Vgs=-1.5 V) 18.5 µA/µm
Ron*Area 280 mΩ*mm²
フローティングPDMOS LFPDMS
Vt -0.56 V
Vmax=Vbd -5.5 V
Vgsmax -3.6 V
Ids(Vds=-5 V, Vgs=-3.3 V) 96 µA/µm

抵抗(パラメータ@ 25°C)

抵抗のタイプ 標準値 単位
高抵抗ポリ: HIPO 975 Ω/square
サリサイドP+ポリ: LOPOR 2.4 Ω/square
非サリサイドP+ポリ: PPOLR 240 Ω/square
Mウェルの非サリサイドP+ 64 Ω/square
非サリサイドN+ポリ: NPOLR 292 Ω/square
Pウェルの非サリサイドN+ 47.5 Ω/square
FOX(フィールド酸化膜)の下のNウェル 958 Ω/square
AA(アクティブ・エリア)のNウェル 800 Ω/square
AA(アクティブ・エリア)のPウェル 1755 Ω/square


ライブラリ

スタンダード・セル
超高集積コア・セル
pn sum: 2.0
2入力NAND(na21)の面積: 38.88 µm²
ゲート密度(na21 @ 100%利用率):25.72 kゲート/mm²
スキャン・フロップ密度(スキャン・フロップ@ 100%利用率): 3.215 k ff/mm²
平均電力(@ 3.3 V):0.2929 µW/MHz/ゲート

標準I/O
ファット・パッドI/Oライブラリ(コア制限デザイン用)
最小190.80 µmインライン・パッド・ピッチ
203.40 µmパッド高さ
トール・パッドI/Oライブラリ(パッド制限デザイン用)
最小97.20 µmインライン・パッド・ピッチ
374.40 µmパッド高さ

メモリ・オプション

RAM
同期型高速/高温シングル・ポートSRAM
最小:16ワード x 2ビット
最大:128 kビット
(例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…)
同期型高速/高温デュアル・ポートSRAM
最小:16ワード x 2ビット
最大:128 kビット
(例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…)
ロー・パワー同期型SRAM
最小:64ワード x 4ビット
最大:128 kビット
(例:16 kワード x 8ビット、8 kワード x 16ビット、…)

ROM
同期型高速/高温拡散ROM
最小:256ワード x 4ビット
最大:512 kビット
(例:64 kワード x 8ビット、32 kワード x 16ビット、…)
ロー・パワー同期型ビア・プログラマブルROM
最小:256ワード x 4ビット
最大:512 kビット
(例:64 kワード x 8ビット、32 kワード x 16ビット、…)

不揮発性メモリ
OTP – ワンタイム・プログラマブル
ヒューズ:低電力ザッピングに最適化されたツェナー・ダイオード
直列および並列出力機能
イン・フィールド・プログラミング可
ベクトル:最大320ビット
FLASH
差動ビット・セル(信頼性向上のための冗長性)
0.5sでのセクタおよびマルチプル・セクタ消去
20 µsでのページ・プログラム
オートモーティブ認定AEC-Q100
64Kバイト・ストレージ
内部チャージ・ポンプ装備
メモリ故障率:<1ppm、ECC付き

CADツールの互換性

デジタル・デザイン
Synopsys Design Compiler
Cadence Verilog

アナログ・デザイン
Cadence DFII (4.4.6)
Spectre

配置・配線
Synopsys Apollo
Cadence Silicon Ensemble

物理的検証
Mentor Graphics Calibre

詳細については、www.onsemi.jpに掲載されている販売代理店にご連絡ください。