| 製品説明 |
オン・セミコンダクターのHigh-Q™ IPD（Integrated Passive Device：集積型パッシブ・デバイス）プロセス技術は、ポータブル、ワイヤレス、およびRFアプリケーションで使用されるバルーン、フィルタ、カップラ、ダイプレクサなどの受動デバイスの製造に理想的な、コパー・オン高抵抗シリコン・プラットフォームを提供します。IPDはRFシステム・イン・パッケージ向けのコスト効果の高いソリューションを提供します。エンジニアリング・プロトタイプ作成のために、ファウンドリ・シャトル・サービスを利用できます。IPDテクノロジは、世界クラスの200mmウェハ製造施設での銅インダクタ、高精度キャパシタ、高精度抵抗の製造をサポートします。カスタム・アプリケーション向けにデザイン・サービスが提供されます。レイアウト、シミュレーション、および検証用に、全機能を備えたデザイン・キットが用意されています。
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| 特長 |
- High-Q™ 銅インダクタ
- MIM キャパシタ
- TiN メタル抵抗
- 3メタル配線層(1 Al, 2 Cu)
- 200 mm シリコン・ウェハ径
- 高抵抗シリコン基板
- プレーナ・デュアル・ダマシン銅プロセス
- 卓越したプロセス制御
- 全機能を備えたデザイン・キット
- デザイン・サービス
- ファウンドリ・シャトル・サービス
- ディスクリート・ソリューションよりも小面積
- LTCCよりも薄い
- GaAsよりも低コスト
- 他のシリコン・ソリューションよりも高性能
プロセス特性
| Si HRS 基板 |
1.5 kΩ∙cm |
| MIM キャパシタンス密度 |
0.62 fF/µm² |
| 抵抗シート抵抗 |
9 Ω/square |
| インダクタ・シート抵抗 |
3.5 mΩ/square |
| ベースSi酸化膜厚 |
5.6 µm |
| MIM 動作電圧 |
20 V |
| M1 Al メタル厚 |
2 µm |
| MN Cu メタル厚 |
5 µm |
| MN2 Cu メタル厚 |
5 µm |
| ボンド・パッド |
ワイヤボンド、フリップチップ |
サンプル・プロセス・オプション
| オプション |
マスク・レイヤ |
| IPD1 |
1 Al, 1 Cu メタル層 |
| IPD2 |
1 Al, 2 Cu メタル層 |
| メタル抵抗 |
Yes/No |
MIM 誘電体厚
thickness |
1 kÅ 標準, 2 kÅ オプション |
| ボンド・パッド |
ワイヤボンド、フリップチップ |
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| デバイス特性 |
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(値はすべて25℃時の標準値)
インダクタ
| パラメータ |
標準値 |
単位 |
| 銅厚 |
5, 10 |
µm |
| 最小幅 |
5 |
µm |
| 最大幅 |
40 |
µm |
| 最小スペース |
3 |
µm |
| 最小内径 |
50 |
µm |
| 推奨範囲 |
1-50 |
nH |
| ピークQ |
25-45 |
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抵抗
| パラメータ |
標準値 |
単位 |
| 最小幅 |
2 |
µm |
| 最小長 |
9 |
µm |
キャパシタ
| ポリ/ゲートOx/N-ウェル |
標準値 |
単位 |
| 最小幅 |
15.75 |
µm |
| 最大幅 |
450 |
µm |
| 最大面積 |
45000 |
µm² |
| 推奨範囲 |
1-100 |
pF |
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| CAD ツールの互換性 |
| 回路図キャプチャ |
| Cadence Vertuoso |
| シミュレーション |
| Angsoft HFSS |
| Agilent ADS |
| 物理的検証 |
| Cadence Assura |
| Mentor Calibre |
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| IPD2 断面図 |
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| 詳細については、www.onsemi.jpに掲載されている販売代理店にご連絡ください。 |
