feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


イメージ・ギャラリに戻る 印刷

オン・セミコンダクター、低電圧パワーMOSFET新ファミリを発表エネルギー損失を低減し、効率向上に対する業界の要求に応える  Chinese Korean

設計、パッケージ、材料技術を駆使して、サーバおよびテレコム・スイッチング・アプリケーション向けの標準MOSFET電力効率を提供する25 Vデバイス群















NTMFS4H01NF power MOSFET.

高効率エネルギーのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)の日本法人オン・セミコンダクター株式会社(本社 東京都台東区、代表取締役社長 雨宮 隆久)は、6デバイスで構成される新しいNチャネルMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)ファミリを発表しました。新ファミリは、既存のデバイスをしのぐ業界最高レベルの効率性を提供するように設計および最適化されています。新NTMFS4HxxxおよびNTTFS4HxxxシリーズのMOSFETは、サーバやネットワーク機器、および高電力密度のDC-DCコンバータなど、幅広い用途におけるスイッチング・デバイスとして、あるいはPoL(point-of-load)モジュールで同期整流をサポートするのに最適です。集積型ショットキーダイオード付き、またはダイオードなしのバージョンが用意されており、エンジニアがより高い効率を実現するのに役立ちます。

オン•セミコンダクターは、最終製品の性能におけるエネルギー効率への関心の高まりを認識して、損失を低減するために、新しいパワーMOSFETの設計、材料、パッケージングの最適化を行ってきました。0.7 mΩのクラス最高のRDS(on)性能と3780 pFの低入力容量により、導通損失、スイッチング損失、ドライバ損失が最小限に抑えられています。また、MOSFETが既存のデバイスよりも、高い熱性能と低いパッケージ抵抗およびインダクタンスを提供できるよう慎重に検討してまいりました。

オン・セミコンダクターのパワー・ディスクリート製品部門担当副社長兼ジェネラル・マネージャのポール・レオナルド(Paul Leonard)は、次のように語っています。「ますます多くのエンド市場で、導通時およびスイッチング時に生じる損失を最小化することで得られる最適な総合的効率への要望が非常に大きくなっています。当社のプロセス、材料、パッケージングに関する専門知識を活かして、パワーMOSFETの性能をお客様が厳しい設計性能目標を達成するのに役立つ新たなレベルにまで高めることができました」

パッケージと価格

NTMFS4H01NNTMFS4H01NFNTMFS4H02NNTMFS4H02NFは鉛フリーのS08-FLパッケージで提供され、1,500個注文時の単価はそれぞれ2.99ドル、3.06ドル、1.86ドル、1.93ドルです。NTTFS4H05NNTTFS4H07Nは鉛フリーμ8 -FLパッケージで提供され、1,500個注文時の単価はそれぞれ0.86ドルと0.67ドルです。

Twitter@onsemi_jpをフォローしてください。

オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、グローバルな省エネルギー実現のためデザインエンジニアを強化し、エネルギー効率のイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターのエネルギー効率の高い、パワー&信号制御、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・ソリューションの包括的なポートフォリオは、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、LED 照明、医療機器、軍事/航空宇宙および電源アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、対応力、信頼性に優れた、世界クラスのサプライ・チェーンと品質保証体制、および製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを稼働させています。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

# # #

オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュース・リリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。