パワー MOSFET、N チャネル、SUPERFET® III、Easy Drive、650 V、17 A、190mΩ、TO-220

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Overview

SUPERFET III MOSFET は、オン・セミコンダクターの最新の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFET ファミリであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現します。この先端技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供、極端な dv/dt レートに対応するよう構成されています。その結果、SUPERFET III MOSFET Easy Drive シリーズは EMI の各種問題の管理に役立ち、設計の実装を容易にします。

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  • Telecom / Server
  • LCD / LED TV
  • LED Lighting / Ballast
  • Adapter
  • 700 V @ TJ = 150 oC
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 300 pF)
  • Optimized Capacitance
  • Internal Gate resistance: 7.0 ohm
  • Typ. RDS(on) = 159 mΩ
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCP190N65S3

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

650

190

N-Channel

Single

±30

4.5

17

144

-

-

-

33

1350

$1.4544

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