FDMC7660

Nチャネル Power Trench® MOSFET 30V、20A、2.2mΩ

Overview

このNチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびrロードスイッチアプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 2.2 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D = 20 A
最大 r_DS(on) = 3.3 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D= 18 A
超低r_DS
(on)のための高パフォーマンス技術
端子は鉛フリーでRoHS対応です。

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC7660

Active

PQFN-8

483AK

260

REEL

3000

2.2

N-Channel

Single

2.5

3.3

3630

$0.722

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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