FDMS86163P

PチャネルPowerTrench® MOSFET -100V、-50A、22mΩ

Overview

このPチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。

アプリケーション

モバイル通信インフラストラクチャ

特長

最大 r_DS(on)= 22 mΩ @ V_GS = -10 V、I_D = -7.9 A
最大r_DS(on) = 30 mΩ、V_GS = -6 V、I_D= -5.9 A
低Qgに最適化された超低RDS-on中電圧Pチャンネルシリコン技術
この製品は、負荷スイッチ用途だけでなく高速スイッチングにも最適化します。
100%のUILがテスト済み
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86163P

Active

PQFN-8

483AE

260

REEL

3000

-100

P-Channel

Single

±25

-4

-50

104

3070

$1.131

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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