バイアス抵抗付き NPN エピタキシャル・シリコン・トランジスタ

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内蔵抵抗があるトランジスタは、コンポーネント数を削減し、回路設計を簡素化することにより、スペースとコストを節約する優れたソリューションとなります。

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  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアス抵抗 (R1=4.7K。R2=10KΩ)

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

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Polarity

IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

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FJN3305RTA

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Pb

A

H

P

TO-92-3 LF

NA

0

FNFLD

2000

N

NPN

0.1

50

30

4.7

10

0.47

0.3

2.5

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