IGBT、1200V、NPT

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HGT1S10N120BNST は非パンチ・スルー (NPT) IGBT 設計に基づいています。IGBT は、UPS、ソーラ・インバータ、モータ制御、電源など、低伝導損失が不可欠な中程度の周波数で動作する多くの高電圧スイッチングアプリケーションに最適です。

  • 無停電電源装置
  • 17A、1200V、TC = 110°C
  • 低飽和電圧: V CE(sat) = 2.45 V @ I C = 10A
  • 通常の立ち下がり時間。 . . . . . . . . .140ns @ TJ = 150°C
  • 短絡回路定格:
  • 低導電損失

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

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HGT1S10N120BNS

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HGT1S10N120BNST

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