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NDBA180N10B: Power MOSFET, 100V, 2.8mΩ, 180A, N-Channel

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2.8mOhm, 180A, N-Channel
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Product Overview
製品説明
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and ultra low on resistance. This devices is suitable for applications with low gate charge driving or ultra low on resistance requirements.
特長   利点
     
  • Ultra Low On-Resistance
 
  • Improves efficiency by reducing conduction losses
  • Low Gate Charge
 
  • Ease of drive, faster turn-on
  • High Speed Switching
 
  • Reduces dynamic power losses
  • 100% Avalanche Tested
 
  • Voltage overstress safeguard
  • Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance
 
  • Environment friendliness
アプリケーション   最終製品
  • Battery Protection
  • Motor Drive
  • Primary Side Switch
  • Secondary Side Synchronous Rectification
 
  • Multi-Cells Battery Pack (ESS, E-Bike, P-Tool)
  • Other Motor
  • Power Supply
技術資料 & デザイン・リソース
チュートリアル (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NDBA180N10BT4H Active 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 100V, 2.8mΩ, 180A, N-Channel D2PAK-3 418AJ 1 Tape and Reel 800 $1.756
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2.8mOhm, 180A, N-Channel
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET, 100V, 2.8mΩ, 180A, N-Channel   N-Channel   Single   100   20   4   180   200       3     95     580   6950   3000   15   D2PAK-3 
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2.8mOhm, 180A, N-Channel
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418AJ   
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NTP8G202N  600 V, 290 mΩ, 単一Nチャネル, パワーGaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応