12 V電子ヒューズ、eFuse

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Overview

NIS5112は、内部チャージ・ポンプで駆動されるハイ・サイドNチャネルFETを活用する統合スイッチです。 このスイッチの特長は、電流センシングで高価な低インピーダンスの電流シャントではなく安価なチップ抵抗器の使用を許容するMOSFETです。12 Vシステムで動作するよう設計され、頑強なサーマル保護回路があります。

  • Hard Drives
  • Integrated Power Device
  • Power Device Thermally Protected
  • No External Current Shunt Required
  • Enable/Timer Pin
  • Adjustable Slew Rate for Output Voltage
  • 9 V to 18 V Input Range
  • 30 mΩ Typical
  • Internal Charge Pump

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rDS(on) Max (mΩ)

TSD Typ (°C)

Thyst Typ (°C)

Reference Price

NIS5112D1R2G

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

3

260

REEL

2500

N

Latch Off

18

35

135

40

$1.518

More Details

NIS5112D2R2G

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