Name: Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
Brand: Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
SKU: NSS60200L

低 VCE(sat) トランジスタ、PNP、-60 V、4.0 A

Overview

オン・セミコンダクターの e2 PowerEdge ファミリの低 VCE(sat) バイポーラ・トランジスタは、超低飽和電圧 VCE(sat) および高電流ゲイン機能を備えた小型の表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格の効率的なエネルギー制御が重要な、低電圧、高速スイッチング・アプリケーションで使用するために設計されています。典型的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3 プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品の DC-DC コンバータおよび電源管理です。他のアプリケーションは、ディスク・ドライブやテープ・ドライブなどの大容量ストレージ製品の低電圧モータ制御です。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスターで使用できます。高電流ゲインにより、e2PowerEdge デバイスを PMU の制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン (ベータ) によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

アプリケーション

Load Switching, Battery Charging, External Pass Transistor, DC/DC Converter, Complimentary Driver, Current Extention & Low Drop Out Regulation, Cathode Florescent Lamp drive, Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays

特長

High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101
Qualified and PPAP Capable

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Polarity

Type

V_CE(sat) Max (V)

I_C Cont. (A)

V_CEO Min (V)

V_CBO (V)

V_EBO (V)

V_BE(sat) (V)

V_BE(on) (V)

h_FE Min

h_FE Max

f_T Min (MHz)

P_TM Max (W)

Reference Price

NSS60200LT1G

Active

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

318

260

REEL

3000

PNP

Low V_CE(sat)

0.22

0.9

0.85

150

100

0.54

$0.096

NSV60200LT1G

Active

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

318

260

REEL

3000

PNP

Low V_CE(sat)

0.22

0.9

0.85

150

100

0.54

$0.1067

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