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NTMFS4897N: Power MOSFET 30V 171A 2 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 171 A, Single N−Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (4)
Product Overview
製品説明
This 30 V N-Channel power MOSFET contains an integrated Schottky diode.
特長   利点
     
  • Low RDS(ON)
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capcitance and Optimized Qg
 
  • Improve System Performance
  • Monolithic Integrated Schottky
 
  • Improve Conduction
アプリケーション   最終製品
  • DC-DC Converters (IMVP and VRM Synchronous Side Switching)
  • Point of Load
 
  • Server, PC, Game Console,Point of Load
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (3) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4897NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 171A 2 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.7333
NTMFS4897NFT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 171A 2 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 171 A, Single N−Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 171A 2 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.5   171   96.2     3   2   40.2   83.6   13.4   34   5660   1150   495   SO-8FL / DFN-5 
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