feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTMFS4983NF: Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 106 A, Single N-Channel
Rev. 3 (83kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview
製品説明
NTMFS4983NF
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (2) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (2)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (9)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4983NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.4
NTMFS4983NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.4
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 106 A, Single N-Channel
Rev. 3 (83kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   106   38     3.1   2.1   22.6   47.9   6.9   50   3250   1340   90   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   106   38     3.1   2.1   22.6   47.9   6.9   50   3250   1340   90   SO-8FL / DFN-5 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率