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NTP8G202N: Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220

Overview
Specifications
Datasheet: Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mOhm
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Product Overview
製品説明
Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220
特長
 
  • Fast Switching
  • Extremely Low Qrr
  • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
技術資料 & デザイン・リソース
デザイン・ノート (1) パッケージ図 (1)
データシート (1) 評価ボード文書 (4)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
NCP1397GANGEVB Active
Pb-free
High Performance Integrated High Voltage Driver Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Mouser (2015-07-09) : 2
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTP8G202NG Active 
Pb-free
Halide free
Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220 TO-220-3 221A-07 1 Tube 150 $10.881
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Datasheet: Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mOhm
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220   N-Channel   Single   600   18   2.35   9   65       350   6.2     2.2   29   785   26   3.5   TO-220-3 
Datasheet: Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mOhm
Rev. 1 (108kB)
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221A-07   
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応