KSP13

NPN エピタキシャルシリコンダーリントントランジスター

Overview

500 mA, 30 V NPN Darlington Bipolar Junction Transistor

アプリケーション

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特長

コレクター-エミッター間電圧: V_CEO = 30V
コレクター電力消費： P_C (最大) = 625mW
High Gain Devices
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Polarity

I_C Continuous (A)

V_(BR)CEO Min (V)

V_CE(sat) Max (V)

h_FE Min (k)

h_FE Max (k)

f_T Min (MHz)

Reference Price

KSP13BU

Active

TO-92-3

135AN

BLKBG

10000

NPN

0.5

1.5

125

$0.0487

KSP13TA

Active

TO-92-3 LF

135AR

FNFLD

2000

NPN

0.5

1.5

125

$0.0485

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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