Digital Transistors (BRTs) | EMG2DXV5

デュアル NPN バイポーラ・デジタル・トランジスタ (BRT)

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デュアル NPN バイポーラ・デジタル・トランジスタは、単一のデバイスとその外部抵抗バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。デュアル PNP バイポーラ・デジタル・トランジスタには、2 つの抵抗器、直列ベース抵抗器、ベース・エミッタ抵抗器で構成されるモノリシック・バイアス・ネットワークを備えたシングル・トランジスタが含まれます。これは、これらのコンポーネントを 1 つのデバイスに統合して、個々のコンポーネントを省きます。これを使用することで、システム・コストと基板スペースの両方を削減できます。低電力表面実装アプリケーション向けに設計された SOT-553 パッケージで提供されます。

  • TBD
  • TBD
  • Simplifies Circuit Design
  • Reduces Board Space
  • Reduces Component Count

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V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

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Vi(off) Max (V)

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EMG2DXV5T1G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-553

463B-01

1

260

REEL

4000

No

Dual NPN

0.1

50

80

47

47

1

0

0

1.60 x 1.60 x 0.55

$0.0681

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EMG2DXV5T5G

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463B-01

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信頼性データ

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Device: EMG2DXV5T5G

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

1

13739524368

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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