エピタキシャル・シリコン・トランジスタ

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Overview

内蔵抵抗があるトランジスタは、コンポーネント数を削減し、回路設計を簡素化することにより、スペースとコストを節約する優れたソリューションとなります。

  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアス抵抗 (R1 = 4.7 KΩ、R2 = 4.7 KΩ)

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Polarity

IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

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FJN3301RTA

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Pb

A

H

P

TO-92-3 LF

NA

0

FNFLD

2000

N

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50

20

4.7

4.7

1

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