Digital Transistors (BRTs) | FJN3301R

エピタキシャル・シリコン・トランジスタ

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Overview

内蔵抵抗があるトランジスタは、コンポーネント数を削減し、回路設計を簡素化することにより、スペースとコストを節約する優れたソリューションとなります。

  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアス抵抗 (R1 = 4.7 KΩ、R2 = 4.7 KΩ)

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