バイアス抵抗付き NPN エピタキシャル・シリコン・トランジスタ

Obsolete

Overview

内蔵抵抗があるトランジスタは、コンポーネント数を削減し、回路設計を簡素化することにより、スペースとコストを節約する優れたソリューションとなります。

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  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアスレジスタ (R1=10KΩ、R2=10KΩ)

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MSL Temp (°C)

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IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

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H

P

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NA

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