PNPエピタキシャルシリコントランジスター、バイアス抵抗内蔵

Obsolete

Overview

抵抗内蔵トランジスターは、部品数を減らし回路設計を簡素化することで、優れた省スペース、省コストソリューションを実現します。

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  • 100 mA出力電力容量
  • 内蔵バイアス抵抗(R=4.7KΩ)

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V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

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P

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