PNPエピタキシャルシリコントランジスター、バイアス抵抗内蔵

Obsolete

Overview

抵抗内蔵トランジスターは、部品数を減らし回路設計を簡素化することで、優れた省スペース、省コストソリューションを実現します。

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  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアスレジスタ (R1=10KΩ、R2=10KΩ)

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IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

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Pb

A

H

P

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REEL

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