Digital Transistors (BRTs) | FJV4102R

PNPエピタキシャルシリコントランジスター、バイアス抵抗内蔵

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抵抗内蔵トランジスターは、部品数を減らし回路設計を簡素化することで、優れた省スペース、省コストソリューションを実現します。

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  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアスレジスタ (R1=10KΩ、R2=10KΩ)

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