FJV4113R

バイアス抵抗付き PNP エピタキシャル・シリコン・トランジスタ

Overview

内蔵抵抗があるトランジスタは、コンポーネント数を削減し、回路設計を簡素化することにより、スペースとコストを節約する優れたソリューションとなります。

アプリケーション

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特長

100 mA 出力電流能力
内蔵バイアス抵抗 (R₁=2.2KΩ、R₂=47KΩ)

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Polarity

I_C Continuous (A)

V_(BR)CEO Min (V)

h_FE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

V_i(off) Max (V)

V_i(on) Min (V)

Reference Price

FJV4113RMTF

Obsolete

SOT-23-3

318BM

260

REEL

3000

PNP

0.1

2.2

46.8

0.047

-0.5

-1.1

Price N/A

製品番号:

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