Digital Transistors (BRTs) | FJY4006R

PNPエピタキシャルシリコントランジスター、バイアス抵抗内蔵

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抵抗内蔵トランジスターは、部品数を減らし回路設計を簡素化することで、優れた省スペース、省コストソリューションを実現します。

  • 100 mA 出力電流能力
  • 内蔵バイアス抵抗(R1= 10KΩ、R2=47KΩ)

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A

H

P

SOT-523FL

419BG

1

260

REEL

3000

N

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0.1

50

68

10

47

0.21

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