Digital Transistors (BRTs) | IMH20TR1

デュアル NPN バイポーラ・デジタル・トランジスタ (BRT)

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Overview

このシリーズのバイポーラ・デジタル・トランジスタは、単一のデバイスとその外部抵抗バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。バイポーラ・デジタル・トランジスタには、2 つの抵抗 (直列ベース抵抗とベースエミッタ抵抗) で構成されるモノリシック・バイアス・ネットワークを備えたシングル・トランジスタが入っています。これは、これらのコンポーネントを 1 つのデバイスに統合して、個々のコンポーネントを省き、システム・コストと基板スペースの両方を削減できます。

  • Higher Current Hand held applications.
  • Low VCC (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mA
  • High Current: IC = 600 mA max
  • This is a Pb−Free Device

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Polarity

IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

Package Size (mm)

Reference Price

IMH20TR1G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SC-74R-6

318AA

1

260

REEL

3000

No

Dual NPN

0.6

15

100

2.2

-

-

-

-

3.00 x 2.75 x 1.00

$0.09

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: IMH20TR1G

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

1

13739524368

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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