Digital Transistors (BRTs) | MUN5234DW1

デュアル NPN バイポーラ・デジタル・トランジスタ (BRT)

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Overview

このシリーズのデジタル・トランジスタは、単一のデバイスとその外付け抵抗バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ (BRT) は、単一のトランジスタに、直列ベース抵抗とベース・エミッタ抵抗で構成されるモノリシック・バイアス・ネットワークを組み合わせたものです。BRT は、これらのコンポーネントを 1 つのデバイスに統合して、個々のコンポーネントを省きます。BRT を使用することで、システム・コストと基板スペースの両方を削減できます。

  • Simplifies Circuit Design
  • Reduces Board Space
  • Reduces Component Count
  • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Polarity

IC Continuous (A)

V(BR)CEO Min (V)

hFE Min

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

R1/R2 Typ

Vi(off) Max (V)

Vi(on) Min (V)

Reference Price

MUN5234DW1T1G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

1

260

REEL

3000

N

Dual NPN

0.1

50

80

22

47

0.468

0.5

2

$0.0293

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: MUN5234DW1T1G

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

0

4654891639

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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