トランジスタ・シリコン・パワー NPN

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Overview

この PNP バイポーラ・トランジスタは、高出力アンプおよびスイッチング・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。 2N3055 (NPN) および MJ2955 (PNP) は相補型デバイスです。

  • DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
  • Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
  • Excellent Safe Operating Area
  • Pb-Free Packages are Available

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

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2N3055HG

Obsolete

Pb

A

H

P

TO-204-2

NA

0

FTRAY

100

N

-

General Purpose

-

-

-

-

-

-

-

20

70

2.5

115

Price N/A

More Details

2N3055H

Obsolete

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TO-204-2

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