General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | ECH8102

バイポーラ・トランジスタ、-30V、-12A、低 VCE(sat)、PNP シングル ECH8

Obsolete

Datasheet

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Overview

ECH8102 は、高電流スイッチング・アプリケーション向けバイポーラ・トランジスタ (-30V、-12A、低 VCE(sat)、PNP シングル ECH8) です。

  • 大電力IGBT/MOSFETゲートドライブ
  • DC/DCコンバータ
  • ランプドライブ
  • モータドライブ

  • FBET, MBITプロセス採用
  • コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い
  • 許容損失が大きい
  • 電流容量が大きい
  • スイッチングスピードが速い
  • ハロゲンフリー対応
  • コレクタからエミッタへの逆流防止のため、IECO保証追加

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Container Qty.

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Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

ECH8102-TL-H

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-28 FL / ECH-8

318BF

1

260

REEL

3000

N

PNP

Low VCE(sat)

0.135

12

30

30

6

0.85

-

200

560

140

1.6

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: ECH8102-TL-H

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

0

4654891639

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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