General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJB3307D

高電圧高速スイッチング NPN パワートランジスタ

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FJB3307D は 700 V 8 A NPN シリコン・エピタキシャル・プレーナ型トランジスタです。FJB3307D は高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されており、業界標準の表面実装 TO-263 (D2PAK) パッケージを活用しているので、設計に柔軟性があり、電力損失も抑えています。

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  • 高電圧能力
  • 高速スイッチング
  • 広い安全動作領域
  • コレクターとエミッターの間にダイオード内蔵

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VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

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FJB3307DTM

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-

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