General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJB3307D

高電圧高速スイッチング NPN パワートランジスタ

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FJB3307D は 700 V 8 A NPN シリコン・エピタキシャル・プレーナ型トランジスタです。FJB3307D は高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されており、業界標準の表面実装 TO-263 (D2PAK) パッケージを活用しているので、設計に柔軟性があり、電力損失も抑えています。

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  • 高電圧能力
  • 高速スイッチング
  • 広い安全動作領域
  • コレクターとエミッターの間にダイオード内蔵

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

FJB3307DTM

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

260

REEL

800

N

NPN

High Voltage Fast Switching Power Transistor

3

8

400

700

9

1.6

-

8

40

-

80

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