General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJP1943

PNP エピタキシャルシリコントランジスター

Obsolete

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Overview

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  • 高電流能力: IC = -15A
  • 高いワット損: 80W
  • 高周波数: 30MHz。
  • 高電圧: VCEO=-250V
  • 信頼性の高い動作のためのWide S.O.A
  • 低THDの優れた利得リニアリティ
  • FJP5200を補完
  • 全温度および電気Spiceモデル入手可能。
  • 同じトランジスターも利用可能: -- TO264 パッケージ、2SA1943/FJL4215 : 150ワット -- TO3Pパッケージ、2SA1962/FJA4213 : 130ワット -- TO220Fパッケージ、FJPF1943 : 50ワット
  • ハイファイオーディオ出力アンプ
  • 汎用パワーアンプ

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

FJP1943RTU

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

1000

N

PNP

General Purpose

3

15

230

230

5

-

1.5

55

160

30

80

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FJP1943RTU

Equivalent to wafer fab process: TM

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TM

21

1953855815

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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