General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJP2160D

ESBC 定格 NPN シリコン・トランジスタ

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FJP2160D は、低コスト、高性能の電源スイッチで、電源、モータ・ドライバ、スマート・グリッド、イグニッション・スイッチなどのアプリケーションの ESBC 構成で使用する際に、最高性能を実現するように設計されています。この電源スイッチは、最高 1600 V および 3 A で動作するように設計されていて、非常に低いオン抵抗とスイッチング損失を提供します。ESBC スイッチは、市販の電源コントローラやドライバを使用して簡単に駆動できるように設計されています。ESBC MOSFET は、低電圧、低コストの表面実装デバイスで、低入力容量と高速スイッチングを組み合わせています。この ESBC 構成は、ミラー容量がないため、必要な駆動電力を極力抑えられます。FJP2160D は、逆バイアス安全動作領域 (RBSOA) と堅牢な設計により、非常に高い信頼性と大きな動作範囲を得られます。このデバイスは、アバランシェ定格で、寄生トランジスタがないため、静的 dv/dt 障害が起こりにくくなっています。

  • 小さい等価オン抵抗
  • 超高速スイッチ： 150KHz
  • squareRBSOA： 最高1600ボルト
  • 電子なだれ定格
  • 小さな駆動容量、ミラー容量なし(通常12pF Cap @ 200ボルト)
  • 小さなスイッチ損失
  • 信頼性の高いHVスイッチ： 高dv/dt過渡信号による誤トリガーなし。

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Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

FJP2160DTU

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A

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TO-220-3

340AT

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1000

N

NPN

ESBC Silicon Transistor

0.75

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800

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信頼性データ

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Device: FJP2160DTU

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

0

4654891639

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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