General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJPF13009

NPN シリコントランジスター

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FJPF13009は、700V 12A NPNのシリコンエピキシャル平面トランジスターです。 FJPF13009は、設計使用を容易にするために、複数のhFEビンクラスで提供されます。 FJPF13009は、設計での柔軟性と優れたワット損をを提供する業界標準TO-220パッケージを利用する高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。

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  • 高電圧容量
  • 高速スイッチング

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Package Size (mm)

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FJPF13009H2TU

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TO-220-3 FullPak

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TUBE

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No

NPN

Silicon Transistor

3

12

400

700

9

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信頼性データ

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Device: FJPF13009H1TU

Equivalent to wafer fab process: BM

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

BM

0

346552627

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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