General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJPF2145

ESBC 定格 NPN パワートランジスタ

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FJPF2145 は、低コスト、高性能の電源スイッチで、電源、モータ・ドライバ、スマート・グリッド、イグニッション・スイッチなどのアプリケーションの ESBC 構成で使用する際に、最高性能を実現するように設計されています。この電源スイッチは、最高 1100 V および 5 A で動作するように設計されていて、非常に低いオン抵抗とスイッチング損失を提供します。ESBC スイッチは、市販の電源コントローラやドライバを使用して簡単に駆動できます。ESBC MOSFET は、低入力容量と高速スイッチングを組み合わせた、低電圧、低コストの表面実装デバイスです。この ESBC 構成は、ミラー容量が無いため、必要な駆動電力を極力抑えられます。FJPF2145 は、逆バイアス安全動作領域 (RBSOA) と堅牢な設計により、非常に高い信頼性と大きな動作範囲を得られます。このデバイスは、アバランシェ定格で、寄生トランジスタが無いため、静的 dv/dt 障害が起こりにくくなっています。パワー・スイッチは、専用の高電圧バイポー・ラプロセスを使用して製造され、高電圧 TO-220F パッケージでパッケージングされています。

  • Power Supply

  • 低い同等オン抵抗
  • 非常に高速のスイッチ: 150 kHz
  • 広いRBSOA: 1100Vまで
  • 電子なだれ定格
  • 低駆動容量、ミラー容量無し
  • 低スイッチング損失
  • 信頼性の高いHVスイッチ： 高dv/dt過渡信号による誤トリガーなし

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Container Qty.

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Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

FJPF2145TU

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TO-220-3 FullPak

221AT

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FJPF2145TU

Equivalent to wafer fab process: TM

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TM

21

1953855815

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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