General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | KSH112

NPNシリコンダーリントントランジスター

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  • 高DC電流利得
  • E-Cのダンパーダイオード内蔵
  • 表面実装用にリード形成(サフィックスなし)
  • ストレートリード(I-PAK、「-I」サフィックス)
  • 人気のある表面実装用TIP112D-PAKと電気的に同等

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VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

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Pb

A

H

P

DPAK-3

369AK

1

260

REEL

2500

N

NPN

General Purpose

3

2

100

100

5

4

2.8

1000

12000

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20

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