General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | NSS20101J

20 V、1.0 A NPN 低 VCE(sat) バイポーラ・トランジスタ

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オン・セミコンダクターの e2PowerEdge ファミリの低 VCE(sat) バイポーラ・トランジスタは、超低飽和電圧 VCE(sat) および高電流ゲイン機能を備えた小型の表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格の効率的なエネルギー制御が重要な、低電圧、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。典型的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3 プレーヤーなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品の DC-DC コンバータおよび電源管理です。他のアプリケーションは、ディスク・ドライブやテープ・ドライブなどの大容量ストレージ製品の低電圧モータ制御です。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスターで使用できます。高電流ゲインにより、e2PowerEdge デバイスを PMU の制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン (ベータ) によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

  • 20 V, 1.0 A, Low VCE(sat)
    NPN Transistor

  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
  • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable

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VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

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fT Min (MHz)

PTM Max (W)

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Device: NSS20101JT1G

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

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MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

0

4654891639

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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