General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | NSS40302PD

低 VCE(sat) トランジスタ、相補型、40 V、6.0 A

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オン・セミコンダクターの e2PowerEdge ファミリの低 VCE(sat) バイポーラ・トランジスタは、超低飽和電圧 VCE(sat) および高電流ゲイン機能を備えた表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格の効率的なエネルギー制御が重要な、低電圧、高速スイッチングアプリケーションで使用するために設計されています。一般的なアプリケーションは、ディスク・ドライブやテープ・ドライブなどの大容量ストレージ製品の低電圧モータ制御です。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスターで使用できます。高電流ゲインにより、e2PowerEdge デバイスを PMU の制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン (ベータ) によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

  • Load Switching, Battery Charging, External Pass Transistor, DC/DC Converter, Complimentary Driver, Current Extension & Low Drop Out Regulation, Cathode Florescent Lamp drive, Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays

  • Mobile Phones, PDAs, MP3 players, Computers, Power Supplies, Automotive Body Electronics, Toys.

  • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Polarity

Type

VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

NSS40302PDR2G

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751-07

1

260

REEL

2500

Y

Complementary

Low VCE(sat)

0.06

3

40

40

6

0.9

0.75

200

-

100

0.576

$0.4867

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NSV40302PDR2G

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Low VCE(sat)

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3

40

40

6

0.9

0.75

200

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100

0.576

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NSV40302PDR2G

Equivalent to wafer fab process: SST

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

SST

0

4654891639

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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