NUS5530MN

PNP 低 VCE(sat) スイッチング・トランジスタ付き統合パワー MOSFET

Overview

この集積デバイスは、20 V P チャネルと PNP シリコン低 VCE(sat) スイッチング・トランジスタを組み合わせた、新しいレベルの安全性と基板スペースです。この新たに統合された製品で、効率と精度の高いバッテリ駆動のポータブル電子機器になります。

アプリケーション

Power Management in Portable and Battery-Powered Products

最終製品

Cellular and Cordless Telephones
PCMCIA Cards

特長

Low R_DS(on) (MOSFET) and Low V_CE(sat) (Transistor)
Higher Efficiency Extending Battery Life
Logic Level Gate Drive (MOSFET)
Performance DFN Package

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Polarity

Type

V_CE(sat) Max (V)

I_C Cont. (A)

V_CEO Min (V)

V_CBO (V)

V_EBO (V)

V_BE(sat) (V)

V_BE(on) (V)

h_FE Min

h_FE Max

f_T Min (MHz)

P_TM Max (W)

Reference Price

NUS5530MNR2G

Active

DFN-8

506AL

260

REEL

3000

PNP

Low V_CE(sat)

0.1

0.85

0.875

100

400

100

2.75

$0.6547

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | NUS5530MN

PNP 低 VCE(sat) スイッチング・トランジスタ付き統合パワー MOSFET

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