TIP117

PNP エピタキシャルシリコンダーリントントランジスター

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アプリケーション

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特長

内蔵ベースエミッター間シャント抵抗器付きのモノリシック構造
高DC電流利得: h_FE=1000 @ V_CE= -4 V、I_C= -1 A (最小)
低いコレクタ -エミッター間飽和電圧
産業用途
TIP110/111/112を補完

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Polarity

Type

V_CE(sat) Max (V)

I_C Cont. (A)

V_CEO Min (V)

V_CBO (V)

V_EBO (V)

V_BE(sat) (V)

V_BE(on) (V)

h_FE Min

h_FE Max

f_T Min (MHz)

P_TM Max (W)

Reference Price

TIP117TU

Obsolete

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

PNP

General Purpose

2.5

100

2.8

500

Price N/A

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代理店		Stock	BUY

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General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | TIP117

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