ハイブリッドIGBT - SiC-SBDを搭載した650V、50Aフィールドストップ4トレンチ IGBT

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Overview

新しいフィールドストップIGBTとSiC SBD技術を使用した、オン・セミコンダクターの新シリーズのハイブリッドIGBTは、ハードスイッチング・アプリケーションに最適な性能を提供します。このデバイスは、シリコンベースのIGBTとSiCショットキバリアダイオードを1パッケージ化しており、性能の低いシリコンベースのソリューションと、コストの高い完全なSiCベースのソリューションとの間の優れたトレードオフを実現します。

  • Automotive
  • Industrial Inverter
  • DC-DC Converter
  • PFC, Totem Pole Bridgeless
  • Hard Switching

  • xEV On & Off board charger
  • UPS
  • Solar Inverter
  • HVAC

  • Copacked with SiC schottky barrier diode
  • Automotive Qualified
  • Maximum Junction Temperature, Tj=175°C
  • Very low switching and conduction losses
  • Positive temperature co-efficient
  • 100% of the parts are dynamically tested
  • Tight parameter distribution

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

AFGHL50T65SQDC

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3LD

NA

0

TUBE

450

Y

-

650

50

1.6

1.45

-

-

-

-

94

-

-

-

Yes

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