IGBTs | FGA3060ADF

IGBT、600 V、30 A フィールドストップ・トレンチ

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Overview

この ADF IGBT シリーズは、非常に低い Vce(sat) とはるかに高速なスイッチング特性を提供して優れた効率を実現する、フィールドストップ・トレンチ第 3 世代 IGBT を採用しました。この種の技術は、シングル・ブースト、マルチ・チャンネル・インターリーブなど、さまざまな PFC (力率補正) トポロジに完全に最適化されており、20KHz 以上のスイッチング性能を持ちます。TO3P パッケージは、システムの安定性のために、はるかに広い SOA の超低熱抵抗を提供します。

  • 最大接合部温度： TJ = 175°C
  • 簡単に並列操作するための正の温度係数
  • 高電流能力:
  • 低飽和電圧: VCE（sat）=1.8 V（通常） @ IC = 30 A
  • 部品はILM（1） 100％テスト済み
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング
  • 厳格なパラメータ分布
  • RoHS に対応

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MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGA3060ADF

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-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FGA3060ADF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3B,IJ

0

1915930880

More Details

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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