IGBTs | FGA40T65SHDF

IGBT、650 V、40 A フィールドストップ・トレンチ

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当社の新シリーズのフィールドストップ第 3 世代 IGBT は、新しいフィールドストップ IGBT 技術を用いて、優れた誘導およびスイッチング性能と容易な並列動作を実現します。このデバイスは、誘導加熱や MWO などの共振またはソフト・スイッチング・アプリケーションに最適です。

  • 最大ジャンクション温度： TJ = 175°C
  • 容易な並列動作に適した正の温度係数
  • 高電流能力
  • 低飽和電圧: VCE(sat) = 1.45 V (通常) @ IC = 40 A
  • 100% of the Parts tested for ILM(1)
  • 部品の100%がILM(1)テスト済み
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング
  • バラつき範囲の小さいパラメータ

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGA40T65SHDF

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

650

40

1.45

1.5

0.44

1.22

238

-

68

-

-

268

Yes

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FGA40T65SHDF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IJ

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3B,IJ

1

6249407224

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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