IGBTs | FGB20N60SFD

IGBT、600V、20A、フィールドストップ

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当社の新シリーズのフィールドストップ IGBT は、新しいフィールドストップ IGBT 技術を用いて、低い伝導損失およびスイッチング損失が必要不可欠なソーラー・インバータ、UPS、溶接機、および PFC のアプリケーションに最適な性能を提供します。

  • その他の産業用

  • 高電流能力
  • 低飽和電圧: VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング: EOFF =8uJ/A
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGB20N60SFD

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

260

REEL

800

N

-

600

20

2.2

1.9

0.16

0.37

57

-

65

-

-

208

Yes

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FGB20N60SFD

Equivalent to wafer fab process: 3B,IM

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3B,IM

0

975477967

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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