IGBTs | FGB3440G2_F085

IGBT、400V、25A、1.30V、335mJ、EcoSPARK® II、N チャネル・イグニッション

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FGB3245G2_F085 および FGD3245G2 は、当社の EcoSPARK® 2 テクノロジで設計された N チャネル IGBT で、外付けの保護回路の必要をなくします。このテクノロジは、車載イグニッション・システムの過酷な環境でのコイルの駆動向けに最適化されていて、優れた Vsat および SCIS エネルギー能力も高い動作温度で提供します。ロジックレベル・ゲート入力は ESD 保護で、統合ゲート抵抗を備えています。統合ツェナー回路は IGBT のコレクタからエミッタへの電圧を 450 V でクランプして、より高いスパーク電圧を必要とするシステムを有効にします。

  • ボディエレクトロニクス

  • SCISエネルギー = 335mJ @ TJ = 25℃
  • ロジックレベルゲートドライブ
  • • AEC Q101認定取得
  • RoHS 対応

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

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FGB3440G2-F085

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Device: FGB3440G2-F085

Equivalent to wafer fab process: IGN IGBT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

IGN IGBT

12

24556821265

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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