IGBTs | FGB3440G2_F085

IGBT、400V、25A、1.30V、335mJ、EcoSPARK® II、N チャネル・イグニッション

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Overview

FGB3245G2_F085 および FGD3245G2 は、当社の EcoSPARK® 2 テクノロジで設計された N チャネル IGBT で、外付けの保護回路の必要をなくします。このテクノロジは、車載イグニッション・システムの過酷な環境でのコイルの駆動向けに最適化されていて、優れた Vsat および SCIS エネルギー能力も高い動作温度で提供します。ロジックレベル・ゲート入力は ESD 保護で、統合ゲート抵抗を備えています。統合ツェナー回路は IGBT のコレクタからエミッタへの電圧を 450 V でクランプして、より高いスパーク電圧を必要とするシステムを有効にします。

  • ボディエレクトロニクス

  • SCISエネルギー = 335mJ @ TJ = 25℃
  • ロジックレベルゲートドライブ
  • • AEC Q101認定取得
  • RoHS 対応

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IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

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EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGB3440G2-F085

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Device: FGB3440G2-F085

Equivalent to wafer fab process: IGN IGBT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

IGN IGBT

12

24556821265

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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