IGBTs | FGD3245G2-F085V

IGBT、 N チャネル・イグニッション、DPAK、1.3V、320mJ、EcoSPARK® II

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製品

Overview

FGD3245G2-F085C は、当社の EcoSPARK® 2 テクノロジで設計された N チャネル IGBT で、外付けの保護回路の必要をなくします。このテクノロジは、車載イグニッション・システムの過酷な環境でのコイルの駆動向けに最適化されていて、優れた Vsat および SCIS エネルギー能力も高い動作温度で提供します。ロジックレベル・ゲート入力は ESD 保護で、統合ゲート抵抗を備えています。統合ツェナー回路は IGBT のコレクタからエミッタへの電圧を 450 V でクランプして、より高いスパーク電圧を必要とするシステムを有効にします。

  • Automotive
  • Engine Management
  • Ignition Systems

  • SCIS Energy = 320 mJ at TJ = 25°C
  • Logic Level Gate Drive
  • Low Saturation Voltage
  • RoHS Compliant
  • Qualified to AEC Q101

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信頼性データ

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Device: FGD3245G2-F085V

Equivalent to wafer fab process: IGN IGBT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

IGN IGBT

12

24556821265

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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