IGBTs | FGH40N60DF_F085

600V、40A、1.9V、TO-247
フィールドストップIGBT

Obsolete

Datasheet

製品

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Overview

新規開発のフィールドストップIGBT技術を使用しているフェアチャイルドのフィールドストップIGBTの新しいシリーズは、低導電損失と低スイッチング損失が重要である自動車用充電器、インバーター、および他のアプリケーションに最適なパフォーマンスを提供します。

  • 最大接合温度: TJ = 175°C
  • 簡単な並列操作のための正の温度係数
  • 高電流能力:
  • 低飽和電圧： VCE(sat)=1.7 V(通常) @ IC = 40 A
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング： EOFF =6.25 uJ/A
  • バラつき範囲の小さいパラメータ
  • RoHS 対応
  • 自動車の要件基準AEC-Q101に認定

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MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40N60SMDF-F085

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FGH40N60SMDF-F085

Equivalent to wafer fab process: 3B,IM

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3B,IM

0

975477967

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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