IGBTs | FGH50N6S2D

600V、SMPS II IGBT

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FGH50N6S2D は、低ゲート電荷、低プラトー電圧 SMPS II IGBT であり、SMPS IGBT の高速スイッチング速度と、低ゲート電荷、プラトー電圧、およびアバランシェ機能 (UIS) を組み合わせています。これらの LGC デバイスは、遅延時間を短縮し、ゲート・ドライブの電力要件を削減します。これらのデバイスは、低伝導損失、高速スイッチング時間、UIS 機能が必要不可欠な高電圧スイッチ・モード電源アプリケーションに最適です。SMPS II LGC デバイスは、以下のために特別に設計されています。• 力率改善 (PFC) 回路• フルブリッジ・トポロジ• ハーフブリッジ・トポロジ• プッシュプル回路• 無停電電源装置• ゼロ電圧およびゼロ電流スイッチング回路 IGBT、以前の開発タイプ TA49344 ダイオード、以前の開発タイプ TA49392

  • その他の産業用
  • 無停電電源装置

  • 100kHz、390V、40Aで動作
  • 200kHZ、390V、25Aで動作
  • 600V スイッチングSOA能力
  • 通常の立ち下がり時間。 . . . . . TJ = 125°Cで90ns
  • 少量のゲート電荷。 . . . . . 70nC、VGE = 15V
  • 低プラトー電圧。 . . . . . 6.5V通常。
  • UIS定格。 . . . . . 480mJ
  • 低導電損失

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IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH50N6S2D

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FGH50N6S2D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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