IGBTs | HGTG20N60A4D

600V、SMPS IGBT

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HGTG20N60A4D は、MOSFET とバイポーラ・トランジスタの長所を組み合わせた MOS ゲート高電圧スイッチです。MOSFET の高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失です。オンステートでの電圧降下はさらに低減され、25°C ～ 150°Cでなら、そのばらつきはほんのわずかです。使用されている IGBT は、開発型 TA49339 です。逆並列に使用されているダイオードは、開発型 TA49372 です。この IGBT は、高周波で動作するため低伝導損失が不可欠な高電圧スイッチングアプリケーションの多くに最適です。高周波スイッチ・モード電源用に最適化されています。

  • その他の産業用

  • <100kHz動作、390V、20A
  • 200kHz動作、390V、12A
  • 600V スイッチングSOA能力
  • 通常の立ち下がり時間。 . . . . . . . . . . . . . . . .55ns、TJ = 125&°C
  • 低導電損失
  • 温度補償SABER™ Model

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IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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HGTG20N60A4D

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信頼性データ

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Device: HGTG20N60A4D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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