IGBTs | HGTG30N60A4D

600V、SMPS IGBT

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HGTG30N60A4Dは、MOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を組み合わせたMOSゲート高電圧スイッチです。MOSFETの高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失です。オンステートでの電圧降下はさらに低減され、25°C～150°Cでなら、そのばらつきは ほんのわずかです。使用されているIGBTは、開発型TA49343です。アンチパラレルで使用されているダイオードは、開発型TA49373です。このIGBTは、高周波で動作するため低伝導損失が不可欠な高電圧スイッチング・アプリケーションの多くに最適です。高周波スイッチ・モード電源用に最適化されています。旧開発形態はTA49345です。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション

  • <lt/>100kHz 動作 @ 390V、 30A
  • 200kHz 動作 @ 390V、 18A
  • 600V スイッチングSOA能力
  • 通常の立ち下がり時間。 . . . . . . . . . 60ns @ T<sub>J</sub> = 125&°C
  • 低導電損失
  • 温度補償 SABER<sup>™Model

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IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

HGTG30N60A4D

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HGTG30N60A4D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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