IGBTs | HGTG40N60B3

600V、PT IGBT

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HGTG40N60B3 は、MOSFET とバイポーラ・トランジスタの長所を組み合わせた MOS ゲート高電圧スイッチです。MOSFET の高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失です。オン抵抗電圧降下はさらに低減され、25°C ～ 150°C でなら、そのばらつきはほんのわずかです。この IGBT は、AC および DC モータ制御、電源、ソレノイド用ドライバ、リレー、接触器など、低伝導損失が不可欠な中程度の周波数で動作する多くの高電圧スイッチング・アプリケーションに最適です。

  • その他の産業用

  • 70A、600V、TC = 25°C
  • 600V スイッチングSOA能力
  • 通常の立ち下がり時間: 100ns @ TJ = 150°C
  • 短絡回路定格:
  • 低導電損失

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

HGTG40N60B3

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HGTG40N60B3

Equivalent to wafer fab process: IGBT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

IGBT

1

2930462991

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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