600V、PT IGBT

Obsolete

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HGTG40N60B3 は、MOSFET とバイポーラ・トランジスタの長所を組み合わせた MOS ゲート高電圧スイッチです。MOSFET の高入力インピーダンスとバイポーラ・トランジスタのオンステートでの低伝導損失です。オン抵抗電圧降下はさらに低減され、25°C ~ 150°C でなら、そのばらつきはほんのわずかです。この IGBT は、AC および DC モータ制御、電源、ソレノイド用ドライバ、リレー、接触器など、低伝導損失が不可欠な中程度の周波数で動作する多くの高電圧スイッチング・アプリケーションに最適です。

  • その他の産業用

  • 70A、600V、TC = 25°C
  • 600V スイッチングSOA能力
  • 通常の立ち下がり時間: 100ns @ TJ = 150°C
  • 短絡回路定格:
  • 低導電損失

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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HGTG40N60B3

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

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0

TUBE

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