IGBT、1200V、40A、低 VF FSIII

Obsolete

Overview

この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は堅牢で費用効率が高いウルトラ・フィールドストップ・トレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮、低スイッチング損失も実現します。この IGBT は、移相フルブリッジなど低 VF ダイオードの高速スイッチング IGBT を必要とするアプリケーションに最適です。低フォワード電圧の還流ダイオードが内蔵されています。

  • Welding
  • Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
  • Motor Control

  • Industrial

  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Low VF Reverse Diode
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb−Free Devices

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

NGTB40N120S3WG

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

30

N

-

1200

40

1.7

2

1.1

2.2

256

19

212

-

-

454

Yes

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