IGBTs | SGF80N60UF

ディスクリート、高性能IGBT

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フェアチャイルドの絶縁ゲートバイポーラトランジスター（IGBT)UFシリーズは、低導電損失と低スイッチング損失を提供します。 UFシリーズは、高速スイッチングが必須のモーターコントロールや汎用インバーターのようなアプリケーション用に設計されています。

  • モーションコントロール - ホームアプライアンス
  • 高速スイッチング
  • 低飽和電圧: VCE(sat)=2.1V@IC=40A
  • 高入力インピーダンス

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

SGF80N60UFTU

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3PF-3L

340AH

NA

0

TUBE

360

No

-

600

80

2.1

-

-

-

-

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No

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: SGF80N60UFTU

Equivalent to wafer fab process: IGBT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

IGBT

3

4562573939

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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