Nチャネル エンハンスメント型FET

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Overview

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 310mA, 1.6Ω

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  • 低オン抵抗
  • 少量のゲート閾値電圧
  • 低入力容量
  • 高速スイッチング速度
  • 低入出力リーク
  • 超小型表面実装パッケージ
  • JESD22 A114通りESD HBM=1000VおよびJESD22 C101通りESD CDM = 1500V

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

2N7002KW

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CAD Model

Pb

A

H

P

SC-70-3 / SOT-323-3

1

260

REEL

3000

N

60

1600

N-Channel

Single

±20

2.1

0.31

0.3

-

2000

-

0.55

37.8

$0.0553

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